IEDMでTSMCが2nm半導体の開発状況を発表しました。2025年には量産開始ですでにテスト生産中とのこと。かなり早いスケジュールで他社を突き放し世界一の圧倒的な技術力をキープしています！
◆動画内で紹介したYouTube
半導体メモリーの基礎から先端技術まで徹底解説
AIでNVIDIAとHBM半導体が必須な理由とは？
◆参考情報
福田昭のセミコン業界最前線
2nm以降もTSMCが主導。トランジスタ構造の変革と先進パッケージング技術への統合https://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/1646920.html
0:00 TSMCが2nmをIEDMで発表
3:03 TSMCの2nmの断面構造
3:54 ラピダスもIEDMで2nmの技術を発表
4:29 トランジスターのイメージ。スイッチになる
6:30 トランジスターはダムの水門のイメージ
8:58 プレーナー型のトランジスタ
10:05 FinFetの構造の特徴
11:22 Gate All Around型の特徴。Nano Sheet
13:21 三星とIBMのGate All Around構造
–自己紹介など————————————
もふもふ不動産 もふのプロフィール
https://mofmof-investor.com/mof/
1980年生まれ。東京都出身。研究開発の仕事を2003年から続け、SONYや東芝で世界最先端の半導体研究開発に携わる。リーマンショックで会社がつぶれそうになったのをきっかけに、株式投資や不動産投資を開始。2015年に法人設立し、副業で会社を経営。2017年からブログで不動産投資の情報を発信し、2018年にYoutube開始。2019年にサラリーマンを退職。現在は会社を経営している。
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